近来，杭州富加镓业科技有限公司(以下简称：富加镓业)在第一轮器材验证基础上，优化MBE外延工艺，大幅度的进步外延片功能，依据此外延片研制的MOSFET横向功率器材，电流密度提高78.3%，比导通电阻下降约50%，使其具有显着世界竞赛优势。上述作业得到国家重点研制方案“大尺度氧化镓半导体资料与高功能器材研讨”项目支撑(项目编号：2022YFB3605500)。

  图1氧化镓MOSFET横向功率器材直流输出特性曲线，a) 第二轮成果，b)第一轮成果

  高质量的外延片是制备MOSFET横向功率器材的中心元件，MBE外延技能由于成膜质量高，膜层厚度操控准确等优势，常常用于1m以下高质量外延薄膜制备。但是，MBE外延设备加热部件在高温及富氧环境下极易氧化，且存在掺杂及缺点操控等困难，高质量MBE氧化镓外延片制备成为该范畴热门及难点问题。富加镓业在国家重点研制方案支撑下，处理了MBE外延设备及工艺制备难题，取得了高质量MBE氧化镓外延片。第二轮番片测验依据成果得出，12 m栅漏距离氧化镓MOSFET器材电流密度为107mA/mm，比导通电阻约为21.2mcm2(图1a)。相对于第一次流片同标准器材(图1b)，电流密度提高了78.3%，比导通电阻下降了约50%，展示出杰出功能，有着十分显着世界竞赛优势。

  未来，富加镓业也将依据器材研制反应成果，继续改善和迭代外延产品一起，加大商场开辟，为下流器材厂商供给安稳可控的高质量氧化镓单晶衬底及外延产品，坚持我国在MBE氧化镓外延片研制及产业化竞赛优势。

  杭州富加镓业科技有限公司建立于 2019年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研讨所注册建立的第一家“硬科技〞企业，公司以“让世界用上好资料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓资料的产业化作业，首要是做氧化镓单晶资料成长、氧化镓衬底及外延片研制、出产和出售作业，产品首要运用在于功率器材、微波射频及光电勘探等范畴。

  2022年取得浙江省科技型中小企业;2023年取得国家高新技能企业;2024年取得杭州市企业高新技能研制中心及浙江省专精特新中小企业;在氧化镓范畴，承当了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参加了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。别的，取得世界专利授权12项(美国6项，日本6项)，国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权(“一键长晶”操控系统软件)2项。

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